Физические основы электроники

Краткая выдержка из текста работы (Аннотация)

Задача №2

Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Напряжение отсечки

Uотс = -5 В .

Определить:

1) Тип канала (p или n)

2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током.

3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L-L1 , удельной крутизне b1=0,12мА/B^2 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала.

4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L.

5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b = b1 )

Содержание работы

Задача № 1

По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0,6*10-9 А в идеальном несимметричном p-n-переходе, площадью S=0.1см2 (задан p+- n переход)

Определить:

1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход.

2. Тип и концентрацию не основных носителей заряда в базе.

3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе.

4. Тип и концентрацию основных и неосновных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесенной в область эмиттера.

5. Контактную разность потенциалов φk для двух значений температур:

t1 –комнатная, t2 = t1 + ∆t, где ∆t=25 .

6) L — ширину обедненной области или p-n-перехода эмиттер-база. Сделать вывод о влиянии концентрации примеси на L для симметричного и несимметричного p-n-переходов. Изобразить заданный p-n-переход.

7) Записать условие электрической нейтральности для областей эмиттера и базы, а также для всей системы в состоянии равновесия.

8) Приложить к заданному p-n-переходу сначала прямое, потом обратное напряжение и на одном графике построить вольт-амперные характеристики (ВАХ) для двух значений температур t1 и t2 . Пояснить влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ.

9) Начертить зонные диаграммы в равновесном состоянии, а также при прямом и обратном напряжении.

10)Рассчитать вольт-фарадные характеристики для барьерной Сбар и диффузионной Сдиф емкостей

11)Рассчитать R0 - сопротивление постоянному току и rдифф - сопротивление пере-менному току на прямой ветви в точке, соответствующей I пр=10 мА , и обратной ветви в точке, соответствующей U=1В . По результатам расчета сделать вывод о самом важном свойстве p-n-перехода.

12)Начертить малосигнальную электрическую модель заданного p-n-перехода для двух точек (из п.11)

Использованная литература

1. Т.Б. Асеева, В.И. Николотов. Физические основы электроники. Методические
2. указания и контрольные работы по дисциплине — М., МТУСИ, 2008.
3. В.И. Николотов. Физические основы электроники. Учебное пособие — М.,
4. МТУСИ 2004.
5. Г.И. Епифанов. Физические основы микроэлектроники— М., Советское радио,
7. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника — М., Высшая школа, 1991
8. К.В. Шалимова. Физика полупроводников — М., Энергоатомиздат, 1985.

Другие похожие работы

• Реферат - Устройство электрических стартеров
• Курсовая - Внешние запоминающие устройства.
• Учебник - Анализ функциональной структуры и синтез дискретных уст-ройств ч.3
• Контрольная - Определение ёмкости конденсатора с помощью балластического гальвонометра (ВГИ - СПГГИ)
• Курсовая - Техническое обслуживание оборудования промышленных установок
• Курсовая - Изучение и разработка тестового фрагмента ИМС
• Контрольная - Электротехника и основы электроники, асинхронные двигатели
• Курсовая - Составления топологии гибридных интегральных микросхем
• Контрольная - Физические основы электроники
• Курсовая - Изучение и разработка тестового фрагмента ИМС