Каталог работ --> Естественные --> Электроника --> Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом

Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом

ДНУ

Курсовая по предмету:
"Электроника"

Название работы:
"Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом"

Автор работы: Ляшенко Сергей
Страниц: 11 шт.

Год:1999

Цена всего:1490 рублей

~~Цена:2490 рублей~~

Купить Заказать персональную работу

Краткая выдержка из текста работы (Аннотация)

1. ЗАДАНИЕ.

1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой подложке.

В курсовой работе необходимо выполнить:

1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры.

2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики.

3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки.

4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала.

1.2. Исходные данные:

1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2;

2) тип подожки n;

3) ширина канала Z=5,8 мкм;

4) толщина канала L=1,1 мкм;

5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм;

6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2;

7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2.

1.3. Дополнительно будут использоваться следующие справочные данные:

1) тепловой потенциал;

2) собственная концентрация носителей в кремнии ni=1,5*1010см-3;

3) диэлектрическая проницаемость кремния Еап=1,062*10-12 Ф/см;

4) диэлектрическая проницаемость оксида Еок=3,54*10-13 Ф/см;

5) заряд электрона q=1,6*10-19 Кл;

6) работа выхода электрона для алюминия Фм=4,1 эВ;

7) энергия сродства электрона для кремния Х=4,05 эВ;

8) ширина запрещённой зоны для кремния Еg=1,124 эВ.

1.4. Допущения:

1) металл – идеальный проводник;

2) оксидный слой – идеальный диэлектрик, заряды внутри слоя отсутствуют;

3) в расчёте будем пренебрегать поверхностными явлениями на границах металл-оксид и оксид-полупроводник;

4) полупроводник считается идеальным и однородным.

2. РАСЧЁТНАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Построение вольт-фарадной характеристики канала.

Ёмкость между затвором и подложкой МОП-структуры будем рассматривать как два последовательно включённых конденсатора.

Один, из которых образуется металлом и границей Si-SiO2, его ёмкость равна const и равна С0.

Другой конденсатор образуется в режиме обеднения и инверсии за счёт наличия обеднённой области. Эта ёмкость не линейна и зависит от ряда параметров.

Общая ёмкость имеет следующую оценку:

- при Uз

- при Uпз

Ёмкость описывается формулой:

- при Uпор

Данные, полученные с помощью ЭВМ, заносятся в таблицу 1.1.:

Таблица 1.1.

U, B -1 -0,5 0 0,5 1 1,5

C0 3,6 2,87 2,55 2,30 2,08 2,09

По данным таблицы строится график на рисунке, приложенном к курсовой работе.

Ёмкость МОП-конденсатора с единичной площадью обкладок определяется по формуле:

Содержание работы

1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке.