Контрольная по химии, вариант 0, ТГЭУ. Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет се
Контрольная по предмету:
"Химия"
Название работы:
"Контрольная по химии, вариант 0, ТГЭУ. Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет се"
Автор работы: Любовь
Страниц: 10 шт.
Год:2011
Краткая выдержка из текста работы (Аннотация)
Задача 3.4.2.
Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита HН400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала . Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала и , если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала а, м имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола Д = 2,5.
№ варианта м
0 0,5 55
Дано: Решение:
Д = 2,5 Магнитная проницаемость магнитодиэлектрика:
м = 55
= 0,5
- ? - ? Диэлектрическая проницаемость магнитодиэлектрика:
, где
- диэлектрическая проницаемость наполнителя и диэлектрика.
Ответ: ,
Содержание работы
Химия, вариант 0, ТГЭУ
3.1 Проводниковые материалы
Задача № 3.1.1
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
№ вар. Материал То1, С То2, С То3, С L, км S, мм2 I, А
0 Cu -40 0 +40 50 10 80
Задача № 3.1.2
Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.
№ вар. Материал R, Ом P, Вт j, А/мм2 0, мкОм* м
0 Алюминий 200 100 0,6 0,028
3.2 Полупроводниковые материалы
Задача 3.2.1
Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре.
№ вар. Полупроводник материал примесь N, см-3
0 Ge Фосфор 2 * 1018
Задача 3.2.2
Образец полупроводникового материала легирован примесью (см. предыдущую задачу). Определить удельную проводимость собственного и примесного полупроводника при заданной температуре Т.
№ вар. То, К
0 330
Задача 3.2.3
Определить диффузионную длину движения неравновесных носителей заряда в полупроводниковом материале при заданной температуре То, если время их жизни .
№ вар. Материал То, К , мкс
0 Ge - n – типа 330 50
3. 3 Диэлектрические материалы
Задача № 3.3.1
Конденсаторная керамика при 20° С имеет проводимость ° = 10-13 Сим/см. Какова проводимость т при заданной температуре, если температурный коэффициент сопротивления = 0,8?
№ варианта Т°, С
0 52
Задача № 3.3.2
Определить пробивное напряжение Uпр между электродами конденсатора на рабочей частоте f, если температура, до которой нагревается в электрическом поле диэлектрический материал толщиной h конденсатора, не превышает Токр.
№ вар. Материал f, кГц h, мм Т, оС tg tg , 1/К
0 Бумага 10 0,1 75 3 * 10-4 8 * 10-3 1,2 10
Задача № 3.3.3
Как изменится электрическая прочность воздушного конденсатора, если расстояние между электродами уменьшить от h1 до h2?
№ варианта H1, см h2, см
0 5 0,001
3.4 Магнитные материалы
Задача № 3.4.1
Один из магнитных сплавов с прямоугольной петлей гистерезиса ППГ имеет следующие параметры: поле старта Hо , коэрцитивную силу Hс, коэффициент переключения Sф. Найти время переключения .
№ варианта Ho, А/м Hc, А/м Sф, мкк/м
0 14 12 32
Задача 3.4.2.
Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита HН400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала . Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала и , если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала а, м имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола Д = 2,5.
№ варианта м
0 0,5 55