Методы напыления тонких пленок, приенение установки ВУП-5

Краткая выдержка из текста работы (Аннотация)

Образцы для исследования в просвечивающем электронном микроскопе могут быть приготовлены как непосредственно из материала исследуемого объекта, так и из материала, отличного от материала объекта. В первом случае анализ электроннограмм и дифракционного контраста на изображении дает непосредственную информацию о кристаллической структуре объекта. Тонкие образцы для таких исследований готовятся с помощью следующих методик:

получение тонких срезов на ультрамикротоме;

утончение объектов химической полировкой или ионной бомбардировкой;

напыление пленок термическое испарение, катодное распыление, газотранспортные реакции и т.д.

разбрызгивание и высушивание (для порошков и суспензий).

Тонкие пленки представляют собой слой какого-либо материала толщиной от 10 до 10000А. Они различаются по своим физическим и химическим свойствам: эпитаксиальные монокристаллические и аморфные, проводящие и диэлектрические, органические и неорганические. Под эпитаксиальной пленкой обычно понимают монокристаллический слой, выращенный на монокристаллической подложке с которой он имеет определенное кристаллографическое соответствие. Эпитаксиальные монокристаллические пленки обычно содержат дефекты, такие, как дислокации, дефекты упаковки, двойники и субструктуры. Когда верхний слой того же состава, что и подложка, его называют гомоэпитаксиальным, если же верхний слой другого состава, то он называется гетероэпитаксиальным. Аморфные тонкие пленки обладают либо структурой типа беспорядочной сетки, либо беспорядочной плотноупакованной структурой.

В данной работе будет рассмотрен метод напыления тонких пленок термическим испарением на установке ВУП-5.

Содержание работы

Содержание

Введение 2

Термическое (вакуумное) напыление 3

Катодное напыление 5

Ионная бомбардировка 7

Ионно-плазменное напыление 9

Анодирование 11

Электрохимическое осаждение 12

ВУП-5, технические характеристики 13

Трансмиссионная электронная микроскопия 15

Заключение 17

Литература 1

Использованная литература

1. Технология тонких пленок. Справочник, под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ., т. 1-2, М., 1977;
2. Плазменная металлизация в вакууме, Минск, 1983;
3. Черняев В.Н., Технология производства интегральных микросхем и микроциклоров, 2 изд., М., 1987;
4. Волков С. С., Гирш В. И., Склеивание и напыление пластмасс, М., 1988;
5. Коледов Л. А., Технология и конструкция микросхем, микроциклоров и микросборок, М., 1989. Л. А. Коледов.
6. Шиммель Г., Методика электронной микроскопии, пер. с нем., М., 1972

Другие похожие работы

• Контрольная - Движущееся тело массой m1 ударяется о неподвижное тело массой m2. Считая удар упругим и центральным, найти, какую часть кинетической энергии WK1 первое тел
• Контрольная - Зная радиус кривизны и расстояние от предмета до фокуса сферического зеркала, показать, что линейное увеличение, которое дают сферические зеркала, равно от
• Контрольная - Две длинные катушки намотаны на общий сердечник, причем ин-дуктивности этих катушек L1 = 0,64 Гн и L2 = 0,04 Гн. Опреде¬лите, во сколько раз число витков п
• Контрольная - В цепи на рис.2 амперметр показывает ток I=1,5 А. Ток, текущий через сопротивление R1 равен I1 = 0,5 А. Сопротивления R2 = 2 Ом, R3 = 6 Ом. Определить сопр
• Контрольная - Определите, пользуясь таблицей Менделеева, число нейтронов и протонов в атомах платины и урана.
• Реферат - Введение в специальность (энергоснабжение)
• Контрольная - Шap мaccoй m1= 200г, движyщийcя co cкopocтью u1=10м/c, cтaлкивaeтcя c нeпoдвижным шapoм мaccoй m2= 800 г. Удap пpямoй, цeнтpaльный, aбcoлютнo yпpyгий. Oпpe
• Контрольная - В закрытом сосуде объемом V = 1 м находится масса m1 = 1,6 кг кислорода и масса m2 = 0,9 кг воды. Найти давление p в сосуде при температуре t = 500° С, зна
• Контрольная - Плотность энергии электромагнитной волны равна 4*10-11 Дж/м3. Найти плотность потока излучения.
• Контрольная - Два электрона, находясь первоначально на бесконечном расстоянии друг от друга, движутся навстречу друг другу со скоростями, равными по величине 10 м/с. На