Влияние магнитного вымораживания примесей на поглощение света поляритонами

Краткая выдержка из текста работы (Аннотация)

Было дано описание зависимости интегрального поглощения от магнитного поля. Мы пришли к выводу, что налицо конкуренция двух механизмов: рост силы осциллятора пропорционально квадрату магнитного поля, приводящий к увеличению интегрального поглощения и уменьшение интегрального поглощения, вызванное его зависимостью от фактора диссипативного затухания (следствие пространственной дисперсии среды). К уменьшению диссипации приводит уменьшение концентрации рассеивателей (заряженных примесей), что является следствием так называемого магнитного вымораживания примесей – уменьшения концентрации свободных электронов в магнитном поле. Эксперименты показывают, что на начальном участке зависимости (при слабых магнитных полях) преобладает второй механизм, то есть интегральное поглощение падает, но затем, при полях выше 2-2,5 Тл наблюдается минимум и последующий рост K, то есть, здесь основную роль играет уже первый механизм.

Главная цель данной работы – объяснение падающей части зависимости K(γ). Для этого были проделаны статистические расчеты вымораживания примесей по различным моделям. Мы пришли к выводу, что для описания данных экспериментов необходимо принять во внимание компенсацию донорных примесей, которая оказалась на уровне 〖10〗^(-2)÷〖10〗^(-4) для различных образцов, что соответствует ожиданиям (эксперименты ставились над беспрецедентно чистыми кристаллами, специально для этого выращенными). Расчет, принимающий во внимание хвосты плотности состояний, обусловленные флуктуациями в распределении примесей, выполненный по модели Дьяконова, Эфроса и др., не дал удовлетворительных результатов, что было истолковано нами как несоответствие реальности заложенной в теорию линейного экранирования физической модели: в чистых, слаболегированных полупроводниках нельзя применять теорию, разработанную для случаев сильного легирования.

Проведенные расчеты хорошо согласуются с результатами экспериментов по непосредственному наблюдению падения концентрации свободных электронов с ростом магнитного поля. Кроме того, эти результаты позволяют описать падающую часть зависимости интегрального поглощения от магнитного поля. Соответствующие рисунки приведены в тексте работы.

Содержание работы

Аннотация

Введение

1.Обзор литературы

1.1.Экситоны и поляритоны

1.2.Поглощение света

2.Исследовательская часть

2.1.Постановка задачи. Экспериментальные данные

2.2.Описание растущей части зависимости K(B)

2.3.Описание падающей части зависимости K(B)

3.Заключение

4.Приложения

4.1.Расчетная часть

4.2.О коэффициенте поглощения

5.Список литературы

Использованная литература

1. Агранович В.М., Гинзбург В.Л. «Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов». М.: «Наука». 1965г.
2. Давыдов А.С. «Теория твердого тела». М.: «Наука». 1976г.
3. Зеегер К. «Физика полупроводников». М.: «Мир». 1977г.
4. Нокс Р. «Теория экситонов». М.: «Наука». 1966г.
5. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. «Электронные свойства легированных полупроводников». М.: «Наука». 1979г.
6. I. Bisotto, B. Louault, A. Raymond, W. Zawadzki, G. Strasser, Phys. Stat.sol. (a) 202, N4, 2005
7. B. Jouault, A. Raymond, W. Zawadzki, Phys. Rev. B. Vol.65 245210-1, 2002
8. M.I. Dyakonov, A.L. Efros, D.L. Mitchell, Phys. Rev. Vol. 180, N3. 813, 1969
9. L.A. Kaufman, Phys. Rev. B. Vol.2, N6. 1840, 1970
10. T.O. Poehler, Phys. Rev. B. Vol.4, N4. 1223, 1971
11. Алиев Г.Н., Лукьянова Н.В., Сейсян Р.П.// ФТТ, 1998, Т.40, N5
12. Ахмедиев Н.Н.// ЖЭТФ, Т.79, вып.4, 1980
13. Покатилов Е.П., Русанов М.М.// ФТТ, 1968, Т.10, N10
14. Wolfram Research, Inc; http://functions.wolfram.com/ZetaFunctionsandPolylogarithms/PolyLog/07/01/01/

Другие похожие работы

• Контрольная - Электростатическое поле создано положительным точечным зарядом. Определить числовое значение и направление градиента потенциала этого поля, если на расстоя
• Контрольная - При отрыве нейтрона от ядра гелия 2Не4 образуется ядро 2Не3. Определите энергию связи, которую необходимо для этого затратить. Масса нейтральных атомов 2He
• Контрольная - Какова разность потенциалов между двумя точками электростатического поля, если при перемещении между ними заряда q = 0,012 Кл полем была совершена работа А
• Контрольная - На автомобиль массой m = 1 т во время движения действует сила трения Fтр , равная 0,1 действующей на него силы тяжести mg . Найти силу тяги F, развиваемую
• Контрольная - Задача №1. Вычислить ускорение свободного падения тела, находящегося на расстоянии 100 км от поверхности Земли.
• Контрольная - Плоская световая волна падает на дифракционную решетку с периодом 2.5мкм. Определить наибольший порядок спектра, общее число главных максимумов в дифракцио
• Контрольная - Определите функцию распределения для электронов, находящихся на энергетическом уровне Е для случая Е-EF « кТ, пользу¬ясь: 1) статистикой Ферми – Дирака; 2)
• Контрольная - Определите кинетическую энергию протонов, которые в среде с показателем преломления n = 1,6 излучают свет под углом θ = 20° к направлению своего движения.
• Контрольная - Автомобиль массой 4,6 т трогается с места на подъеме, равном 0,025, и, двигаясь равноускоренно, за 40 с проходит 200 м. Найти расход бензина (в литрах) на
• Реферат - Водородная бомба