3 задания (ответы и решения)
Контрольная по предмету:
"Электроника"
Название работы:
"3 задания (ответы и решения)"
Автор работы: Сдана на отлично!
Страниц: 12 шт.
Год:2013
Краткая выдержка из текста работы (Аннотация)
1) Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Классификация фотоэлектрических приборов и основные определения Фотоэлектрическими называют приборы, в которых энергия оптического излучения преобразуется в электрическую. Оптическим является электромагнитное излучение с длинами волн от 5 до 106 нм. В зависимости от длины волн оптическое излучение подразделяется на ультрафиолетовое (5… 400нм), видимое (400… 760нм), и инфракрасное (760… 106 нм). Действие фотоэлектрических приборов основано на явлении фотоэлектрического эффекта, которым называется процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов. Различают внутренний и внешний фотоэффект. Внутренним фотоэффектом называются перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах и жидкостях в результате поглощения фотонов, которое сопровождается образованием дополнительных носителей зарядов или возникновением внутренней фото - эдс. Фото- эдс – электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на p- n- переход под действием оптического излучения. Явления возникновения эдс в электронно-дырочном переходе или тока при включении фотоэлектрического прибора в электрическую цепь, происходящее в результате разделения электрических зарядов электрическим полем, обусловленным неоднородностью полупроводника и воздействием оптического излучения, называется фотогальваническим эффектом.
Содержание работы
1) Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2) Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3) Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.