Контрольная по промышленной электронике, ТюмГНГУ. Объяснить различия и начертить условные графические обозначения резисторов, конденсаторов, катушек индукт

Краткая выдержка из текста работы (Аннотация)

Задача 3

Плоская одномерная модель транзистора, представлена на рис.1. Эта модель предполагает, что p-n- переходы транзистора являются плоскими, и все физические величины в структуре, в частности, концентрации носителей заряда, зависят только от одной продольной координаты x , что соответствует бесконечным поперечным размерам структуры. С учетом того, что в реальной структуре транзистора ширина базы значительно меньше поперечных размеров переходов, плоская одномерная модель достаточно хорошо отражает процессы, протекающие в транзисторе. Рассмотрим вначале статическую ситуацию, при которой на переходы транзистора от внешних источников питания подаются постоянные напряжения uЭБ и uКБ - см. рис. 2. Заметим, что приведенный на рисунке транзистор включен по схеме с общей базой. Напряжения uЭБ 0 обеспечивают открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние коллекторного перехода, что соответствует активному режиму работы транзистора.

Содержание работы

Промышленная электроника

Тюменский государственный нефтегазовый университет

ТЕМА 1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Задача 1

1) Объяснить различия и начертить условные графические обозначения резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, низкочастотных и высокочастотных трансформаторов, электромагнитных реле, применяемых в цепях электронной аппаратуры.

2) В каких единицах (СИ) выражается емкость, индукция, активное, емкостное и индуктивное сопротивления и проводимости.

3) С помощью каких электронных датчиков осуществляется преобразование неэлектрических сигналов (световых, тепловых, звуковых, механических колебаний, растяжения и сжатия, изгиба и давления и т.п.) в электричестве.

ТЕМА 4. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Задача 3

1) Пояснить устройство и физические принципы работы плоскостных биполярных транзисторов типа PNP–NPN

2) Определить статические коэффициенты усиления потоку биполярного транзистора, включенного по схемам с ОБ, ОЭ, ОК, если при изменении тока эмитерра на 1,6мА ток коллектора увеличивается на 1,57мА. Ответ:  0,98;  51,6;  52,6.

ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЗАДАЧ 2 И 4 ДАННЫЕ ВАРИАНТА 8.

Задача 2

Исходные данные:

h11б = 20 Ом, h12б = 210-3 , h21б = 0.96, h22б = 210-6 См

Найти:

rэ, rб, rк, , , rвх, rвых для схемы с ОЭ, пересчитать hб параметры в hэ параметры.

Задача 4

Исходные данные

Схема выпрямителя  мостовая однофазная

Ud = 24 В, Id = 2 А, U1 = 127 В, f = 50 Гц.

Использованная литература

Другие похожие работы

• Дипломная - Проект реконструкции системы управления механизма непрерывного транспорта в условиях ОАО УЗСМ
• Курсовая - Микропроцессорные устройства
• Контрольная - Расчет трехфазной цепи переменного тока- по ТОЭ
• Курсовая - Источники вторичного электропитания
• Реферат - Вычислительные машины и их роль в техническом прогрессе
• Курсовая - Разработка схемы преобразователя напряжения в частоту импульсов
• Контрольная - Контрольная по промышленной электронике, ТюмГНГУ
• Реферат - Основные тенденции развития средств цифровой обработки сигналов
• Контрольная - Формирование сигналов амплитудной модуляции
• Курсовая - Обеспечение бесперебойной работы электропотребителей