Контрольная по промышленной электронике, ТюмГНГУ. Объяснить различия и начертить условные графические обозначения резисторов, конденсаторов, катушек индукт

Краткая выдержка из текста работы (Аннотация)

Задача 3

Плоская одномерная модель транзистора, представлена на рис.1. Эта модель предполагает, что p-n- переходы транзистора являются плоскими, и все физические величины в структуре, в частности, концентрации носителей заряда, зависят только от одной продольной координаты x , что соответствует бесконечным поперечным размерам структуры. С учетом того, что в реальной структуре транзистора ширина базы значительно меньше поперечных размеров переходов, плоская одномерная модель достаточно хорошо отражает процессы, протекающие в транзисторе. Рассмотрим вначале статическую ситуацию, при которой на переходы транзистора от внешних источников питания подаются постоянные напряжения uЭБ и uКБ - см. рис. 2. Заметим, что приведенный на рисунке транзистор включен по схеме с общей базой. Напряжения uЭБ 0 обеспечивают открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние коллекторного перехода, что соответствует активному режиму работы транзистора.

Содержание работы

Промышленная электроника

Тюменский государственный нефтегазовый университет

ТЕМА 1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Задача 1

1) Объяснить различия и начертить условные графические обозначения резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, низкочастотных и высокочастотных трансформаторов, электромагнитных реле, применяемых в цепях электронной аппаратуры.

2) В каких единицах (СИ) выражается емкость, индукция, активное, емкостное и индуктивное сопротивления и проводимости.

3) С помощью каких электронных датчиков осуществляется преобразование неэлектрических сигналов (световых, тепловых, звуковых, механических колебаний, растяжения и сжатия, изгиба и давления и т.п.) в электричестве.

ТЕМА 4. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Задача 3

1) Пояснить устройство и физические принципы работы плоскостных биполярных транзисторов типа PNP–NPN

2) Определить статические коэффициенты усиления потоку биполярного транзистора, включенного по схемам с ОБ, ОЭ, ОК, если при изменении тока эмитерра на 1,6мА ток коллектора увеличивается на 1,57мА. Ответ:  0,98;  51,6;  52,6.

ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЗАДАЧ 2 И 4 ДАННЫЕ ВАРИАНТА 8.

Задача 2

Исходные данные:

h11б = 20 Ом, h12б = 210-3 , h21б = 0.96, h22б = 210-6 См

Найти:

rэ, rб, rк, , , rвх, rвых для схемы с ОЭ, пересчитать hб параметры в hэ параметры.

Задача 4

Исходные данные

Схема выпрямителя  мостовая однофазная

Ud = 24 В, Id = 2 А, U1 = 127 В, f = 50 Гц.

Использованная литература

Другие похожие работы

• Реферат - Радиорелейные линии связи: состояние и перспективы.
• Контрольная - Электротехника, задача
• Курсовая - Разработка электронного устройства (счетчик длительности исходящих телефонных разговоров)
• Дипломная - Проект системы управления линии оксидирования алюминия
• Курсовая - Расчёт трансформатора
• Курсовая - Разработка ГИС
• Контрольная - Общая электротехника и электроника
• Курсовая - Расчет нормативной карты пневмомеханической прядильной машины и нормы обслуживания прядильщицы
• Курсовая - Расчет усилителя напряжения низкой частоты на биполярных транзисторах
• Курсовая - Релейная защита систем электроснабжения